芯矽半导体清洗设备 返回列表页

芯矽半导体清洗设备是面向半导体制造工艺开发的清洗解决方案，专为晶圆、光罩（掩膜版）、封装基板等关键部件的精密清洁设计。其技术融合了化学湿法、物理兆声波及等离子体等多种清洗原理，覆盖从传统制程到28nm以下节点的全场景需求，是提升器件良率、保障纳米级洁净度的核心设备。

一、核心技术与原理

化学湿法清洗

酸液配方：采用HF、H?O?、H?SO?、TMAH等腐蚀性溶液，针对性去除硅氧化层（如HF去SiO?）、有机物（如H?SO?/H?O?混合液）及金属污染（如SC-1碱性清洗）。

温控系统：精确控制药液温度（±0.5℃），优化反应速率，避免过热损伤晶圆表面。

循环过滤：内置多级过滤模块，实时清除颗粒杂质，确保药液均匀性。

兆声波空化清洗

高频振动：兆声波（1-3MHz）产生微米级气泡，通过空化效应剥离顽固颗粒（如>10nm）及光刻胶残留，替代传统超声波避免晶圆图案损伤。

定向喷射：配合多向喷淋臂，实现边缘与表面同步清洁，适用于刻蚀后或CVD前处理。

等离子体表面处理

辉光放电：通过O?、Ar等气体生成等离子体，去除有机污染物并活化表面，增强后续工艺（如键合或镀膜）的附着力。

低温模式：避免高温对敏感材料（如低k介电层）的热损伤。

二、设备功能与特点

多工艺模块集成

支持槽式浸泡、喷淋、刷洗（软质刷轮）、兆声波及等离子体组合清洗，满足不同污染类型需求。

可选配DI水多级冲洗与风刀干燥系统，确保无水渍残留。

高精度控制与自动化

PLC+触摸屏：预设工艺参数（如药液浓度、温度、时间），支持自定义程序存储与调用。

在线监测：实时检测药液pH、电导率及流量，自动补充或更换药液，保证清洗一致性。

机械臂上下料：兼容8-12英寸晶圆，单小时处理量可达150-200片（视工艺复杂度而定）。

低损伤与高洁净度

采用非接触式兆声波与柔性刷洗技术，表面粗糙度（Ra）控制在0.5nm以内，颗粒去除率>99.9%。

清洁度满足SEMI F47标准，残留物检测下限低至10? atoms/cm?（AFX-RM检测）。

环保与安全设计

废液处理：封闭式酸雾回收系统+低温蒸馏再生技术，减少危废排放并回收HF、H?O?等贵重化学品。

安全防护：配备紧急停机、溢流保护及酸碱泄漏传感器，符合CE/SEMI S8安全标准。

三、应用场景

晶圆制造

去除光刻胶残留（如EUV光罩清洗）、刻蚀后聚合物沉积及CVD前基底清洁。

适用于逻辑芯片、存储芯片及功率器件的前端工艺。

封装环节

清洗TSV（硅通孔）孔洞、封装基板焊盘及3D堆叠芯片的临时键合界面。

去除切割或研磨产生的微粒，提升封装良率。

光罩清洁

针对EUV掩膜版的纳米级图案保护，清除哈气（Haze）缺陷及颗粒污染，确保曝光精度。