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| 产地 | 国产 | 超声波功率 | 根据方案自定义w |
|---|---|---|---|
| 超声波频率 | 根据方案自定义Hz | 界面语言 | 中文,英文 |
| 内槽尺寸（长×宽×高） | 根据方案自定义mm | 清洗槽数 | ≥5槽 |
| 售后保修期 | 24个月 | 外形尺寸（长×宽×高） | 根据方案自定义mm |
| 销售区域 | 全国,华东,华南,华北,华中,东北,西南,西北,港澳台,海外 | 重量 | 根据方案自定义kg |
一、产品性能
高效清洗能力：
单片清洗时间≤5分钟，颗粒去除率≥99.9%（≥0.1μm），满足制程对洁净度的严苛要求。
支持兆声波（1MHz）与化学湿法联合清洗，剥离光刻胶残留、氧化物及纳米级污染物。
均匀性控制：
喷淋系统+流体动力学设计，温差≤±0.5℃，流速波动＜5%，确保晶圆表面无局部污染。
低损伤设计：
非接触式干燥技术（热风+离心干燥），避免机械擦拭导致的划痕或崩边。
软包覆机械臂传输，兼容薄片（厚度≤100μm）及大尺寸晶圆（如12英寸）。
二、用材与工艺
核心部件材质：
腔体：316L不锈钢+特氟龙防腐涂层，耐HF、H?O?、缓冲氧化物腐蚀（pH 2-12）。
密封件：氟橡胶（FKM）材质，长期耐受酸碱环境，寿命＞10,000次循环。
流体管路：PFA（全氟烷氧聚合物）材质，防止清洗液二次污染。
表面处理：腔体内壁镜面抛光（Ra≤0.2μm），减少微粒吸附。
三、参数表
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 适用晶圆尺寸 | 4-12英寸（兼容多尺寸） |
| 清洗模式 | 湿法化学清洗、兆声波清洗 |
| 温度范围 | 常温~80℃（PID精准控温） |
| 流量控制 | 0.1-5L/min（可调） |
| 干燥方式 | 热风+离心甩干（残水率＜5ppm） |
| 电源 | AC 380V, 50Hz |
| 气源要求 | 洁净氮气（纯度≥99.99%） |
四、产品用途
用途：
前道制程：光刻后清洗、蚀刻后残留物去除。
后道封装：芯片粘接前表面活化与清洁。
特殊场景：化合物半导体（如GaN）、MEMS器件清洗。
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